انجمن تخصصی الکترونیک ایران
»
آنالوگ
»
مدارات قدرت
(مدير:
avr1083
)
انواع دیودهای قدرت
نام کاربري
یک ساعت
یک روز
یک هفته
یک ماه
برای همیشه
رمز عبور
فهرست
راهنمايي
آمار بازديد
پیوندها
جستجو
جستجو
جستجوی پیشرفته
[بستن]
ورود
عضويت
صفحه: [
1
]
« قبلی
بعدی »
چاپ صفحه
نويسنده
موضوع: انواع دیودهای قدرت (دفعات بازدید: 1375 بار)
0 کاربر و 2 مهمان درحال دیدن موضوع.
محمد
مدیر انجمن
امتیاز: 4
آفلاین
تعداد ارسال: 175
انواع دیودهای قدرت
«
:
28 آذر 1388,ساعت 15:49:46 »
بسته به مشخصه های بازیابی و روشهای ساخت دیودهای قدرت را به سه گروه می توان تقسیم کرد.
۱-دیودهای استاندارد یا همه منظوره
۲-دیودهای بازیابی معکوس
۳-دیودهای شاتکی
دیودهای همه منظوره
دیودهای یکسوکننده همه منظوره زمان بازیابی معکوس نسبتا زیادی دارند که در حدود ۱μs است و در کاربردهای سرعت پایین بکار می روند که زمان بازیابی چندان اهمیت ندارد محدوده جریان این دیودها از کمتر از ۱ آمپر تا چند هزار آمپر و محدوده ولتاژ ۵۰ ولت تا حدود ۵۰ کیلو ولت می باشد . این دیودها معمولا به روس دیفیوژن ساخته می شوند . با این وجود یکسو کننده های آلیاژی که در منابع تغذیه دستگاههای جوشکاری بکار می روند از لحاظ هزینه به صرفه ترند و محدوده کاری آنها تا ۳۰۰ آمپر و ۱۰۰۰ ولت می رسد.
دیودهای بازیابی معکوس
دیودهای بازیابی سریع زمان بازیابی کوچک در حدود ۵μs دارند. این دیودها در مدارهای مبدل های dc به dc و dc به ac که سرعت بازیابی اغلب اهمیت بحرانی دارد بکار میروند. محدوده جریانی کارکرد این دیودها از کمتر از یک آمپر تا چند صد آمپر و محدوده ولتاژشان از ۵۰ ولت تا حدود ۳ کیلو ولت است.
برای محدوده بالای ۴۰۰ ولت دیودهای بازیابی سریع معمولا به روش دیفیوژن ساخته می شوند و زمان بازیابی بوسیله دیفیوژن طلا یا پلاتین کنترل می شود.برای مخدوده ولتاژ کمتر از ۴۰۰ ولت دیود های اپی تکسیال سرعت کلید زنی بیشتری نسبت به دیود های دیفیوژنی دارند. دیود های اپی تکسیال ژهنای بیس کمی دارند که باعث می شود زمان بازیابی کوچکی در حدود ۵۰ns داشته باشند .
دیودهای شاتکی
مشکل ذخیره بار در پیوند p-n در دیودهای شاتکی حذف با به حداقل رسیده است.این کار از طریق یک سد پتانسیل که میان یک فلز ویک نیمه هادی وصل می شودانجام می پذیرد. یک لایه فلزی روی یک لایه اپی تکسیال باریک از سیلیکون نوع n قرار داده می شود.سد پتانسیل رفتار یک پیوند p-n شبیه سازی می کند. عمل یکسو سازی فقط به حامل های اکثریت بستگی دارد و در نتیجه حامل های اقلیت اضافی برای ترکیب شدن وجود ندارند. اثر بازیابی منحصرا به خاطر ظرفیت خازنی خود پیوند نیمه هادی است.
خارج شده است
صفحه اصلی
|
انجمن تخصصی
|
قوانین انجمن
|
جستجو
|
نقشه سایت
صفحه: [
1
]
چاپ صفحه
« قبلی
بعدی »
پرش به :
لطفا یک قسمت را انتخاب کنید:
-----------------------------
بخش عمومی
-----------------------------
=> قوانین و تازه های سایت
=> اطلاعیه ها
=> دیدگاه ها و پیشنهادها
-----------------------------
دیجیتال
-----------------------------
=> میکروکنترلر
===> 8051
===> AVR
===> سیستم عاملهای میکروها
=> میکرو پروسسور
=> FPGA
=> LOGIC
=> CMOS
=> PLC
-----------------------------
آنالوگ
-----------------------------
=> مدارات قدرت
=> منابع تغذيه و شارژر
=> مدارات الكترونيك
=> مدارات كنترلی
=> الكترونيك نوری
=> الكترونيك نانو
=> سنسورها
-----------------------------
مخابرات
-----------------------------
=> مخابرات نوری
=> سيستم هاي مخابراتی
=> مخابرات بيسيم
-----------------------------
کامپیوتر و الکترونیک
-----------------------------
=> نرم افزار
=> سخت افزار
=> برنامه نويسی
-----------------------------
الکترونیک و مکانیک
-----------------------------
=> رباتیک
-----------------------------
مقالات و آموزش ها
-----------------------------
=> مقالات اعضا
=> آموزش های ابتدایی
=> پروژه های دانشجویان
-----------------------------
متفرقه
-----------------------------
=> Printed Circuit Board
=> اخبار و تازه ها
=> ebook & mag
=> الکترونیک تجربی
=> تعمیرات
=> معرفی و تبلیغات
درحال بارگزاری ...