روش ذهني تحليل مدار انواع ترانزیستور

براي بدست آوردن پاسخ مدار در تمام زمانها از رابطه زير استفاده مي كنيم:

(∞)y پاسخ در زمان ∞=t يا حالت ماندگار و (y(0 پاسخ در زمان t = 0+
يا شرايط اوليه مي باشد.

براي شبكه مقابل(i(t را محاسبه كنيد.

شبكه در t<0 در حال آرامش است. ابتدا Rth را از دو سر خازن محاسبه مي كنيم. براي اينحالت خازن را مدار باز فرض كرده ومنبع ولتاژ را صفر مي كنيم داريم:

تعيين (∞)i: در ∞=t خازن مدار باز مي شود. لذا داريم :

تعيين (i(0: در لحظه t = 0+
بدليل صفر بودن ولتاژ اوليه خازن آن را اتصال كوتاه فرض مي كنيم . داريم:

  در شكل مقابل ولتاژ اوليه خازن صفر بوده و (V(t به صورت V(t) = (1 ⁄ 4)(1-e-3t )
است. اگر به جاي خازن سلف L= 2H را قرار دهيم.(V(t را محاسبه كنيد


مي توان به جاي شبكه مقاومتي و منبع ولتاژ ، مدار معادل تونن را جايگزين نمود.

V(∞) = Vth ---> Vth = 1 ⁄ 4
τ = Rth C ---> Rth = ( τ ⁄ C ) = 1 ⁄ 3Ω

حال اگر به جاي خازن يك سلف قرار دهيم داريم:


سلف در زمان t(0+ )
اتصال باز است :‌

V(0+ ) = Vth = 1 ⁄ 4

در ∞ = t سلف اتصال كوتاه مي شود لذا 0 = (∞)V در نهايت براي ولتاژ سلف داريم .

  ثابت زماني مدار مقابل چند ثانيه است.

بايد مقاومت ديده شده از دو سر خازن را حساب كنيم. براي اينكار منابع مستقل را خاموش مي كنيم وبه جاي خازن يك منبع V با جريان i جايگزين مي كنيم . داريم:

  باKVL در حلقه بزرگتر داريم:

i1 (1+2) + (i + i1) 1 = 0 --->i1 = -(i ⁄ 4)

  با KVL در حلقه اي كه منبع ولتاژ V دارد

V=(i-3i1 )(i+i1 ) 1

با جاگذاري i1 داريم:

V= (5 ⁄ 2)i ----> Rth= ( V ⁄ i ) =5 ⁄ 2

---> τ = Rth C = 5

-------------------------------------------------------------------------------------------------

ترازیستور
1 – در قطعات سه پايانه يكي از پايه ها به عنوان كنترل بين دو پايانه ديگر به كار مي رود.

2 – ترانزيستور NPN:

3 – ترانزيستور PNP:

4 – جهت ايجاد تقويت ac در ترانزيستور بايد آن را با ولتاژ dc مناسبي تغذيه كرد.

5 – نسبت كل پهنا به لايه مركزي 150:1مي باشد

6 – ميزان ناخالصي ناحيه وسط حدود 1 به 10 مي باشد و اين كاهش ناخالصي باعث كم شدن هدايت و افزايش مقاومت اين ناحيه مي شود.

7 – كلمه biopolar به معني دو قطبي منعكس كننده : تزريق دو بار مخالف الكترون و حفره در دو ماده جداگانه است.

8 – اگر در قطعه اي يك بار وجود داشته باشد آن را unipolar گويند (ديود شوتكي)

9 – كلاً ترانزيستور 3 ناحيه دارد :
1 – ناحيه فعال (Active)
2 – ناحيه قطع (cult off)
3 – ناحيه اشباع (saturation)

10 – براي اينكه ترانزيستور در ناحيه فعال كار كند بايد يك پيوند pn به صورت مستقيم و يك پيوند pn به صورت معكوس بسته شود.

11 -
IE = IB + IC
IC = ICMajor + ICO

12 - Ico : (جريان نشتي) مانند Is در ديودها است كه نسبت به تغييرات دما بسيار حساس مي باشد.

13 – هر چه توان در ترانزيستور زياد شود Ico ‌ نيز افزايش مي يابد.

  Common – Base configuration

14 – جهت انتخابي جريان همان جريان حفره ها مي باشد.

  Active Region

1. در ناحيه اكتيو پيوند كلكتورReverse و پيوند اميتر forward‌مي باشد.

2. اين ناحيه براي تقويت كنندگي با حداقل اعوجاج به كار مي رود.

3. با توجه به شكل اگر IE=0 شود بنابراين Ic=0 مي باشد.

4. IcBo مثل Is در ديودها است و در دماي بالا افزايش مي يابد.

5. هر چه IE زياد شود Ic تأثير بسيار ناچيزي است.

6. VcB روي Ic تأثير بسيار ناچيزي دارد.

7. در ناحيه اكتيو Ic=IE
نكته : منظور از Ico=ICBO يعني Emiter open‌است.

8.

  Cutoff Region

1) در اين ناحيه اتصال اميترو كلكتور هر دو به صورت معكوس است بنابراين جريان كلكتور بسيار ناچيز مي باشد.

1) هر دو پيوند كلكتور واميتر به صورت مستقيم است.

2) در اين ناحيه جريان كلكتور تابع نمايي از VCB مي باشد.
* نكته :

VBE (Si) = 0.7 Volt

VBE (Ge) = 0.3 Volt

IC = IS eVBE ⁄ VT


http://samsungpakdasht.blogfa.com/